VR11-SS5 的活性适中,焊后残留易清洗,器件不变色等特点使之非常适合半导体封装,尤其是功率器件如 IGBT 的大尺寸芯片、DBC 及散热基板间的焊接。由 VR12-SS5 封装的产品空洞率可小于 1%,焊接界面均匀平整,极少溅射和锡珠。
VR11-SS5 回流后的残留物能使用通常的溶剂型清洗剂如碳氢、卤代烃或水基清洗剂等轻易去除,清洗后无论芯片、DBC 和散热基板上都不会有变色、腐蚀或水迹样残痕。
VR11-SS5 独特的配方设计还能有效抑制芯片或 DBC 移位,即使在预弯曲弧度较大的散热基板上,也能保证 DBC 不发生移位,提高焊接良率。
核心优势
活性等级 ROL0
焊接空洞低,空洞率小于 1%
突出的抑制芯片移位性能
工艺窗口宽,适应多种加热曲线
适合铜、镍、银、金等所有常用金属界面
极少溅射和锡珠
残留易清洗
芯片、电路及基板无变色
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